液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスター

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-227544
公開番号（公開出願番号）：特開2009-057506
出願日： 2007年09月03日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】室温において、スピンコートなどの溶液プロセスによって高品位の液晶性の薄膜を作製することができ、また、高いキャリア移動度、高いon/off比を示すと共にイオン化ポテンシャルが高く、酸化され難く耐久性に優れた薄膜トランジスターを得ることができる新規な液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスターを提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物。(式中、R1は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、nは1〜3の整数を示す) 該液晶化合物をスピンコートすることにより薄膜トランジスターを得る。該薄膜を基板に設け、熱アニールした後、ソース電極、およびドレイン電極を真空蒸着し、トランジスターを作製する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される液晶化合物

IPC (7件)：

C09K 19/34 , H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , C07D 333/18 , G02F 1/136

FI (7件)：

C09K19/34 , H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , C07D333/18 , G02F1/1368

Fターム (23件)：

2H092JA24 , 2H092KA09 , 2H092MA04 , 2H092NA11 , 2H092NA27 , 4H027BA04 , 4H027BC05 , 4H027DM05 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

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