特許

J-GLOBAL ID：200903087951691546

半導体装置製造用マスク、その製造方法及び露光方法

発明者： 金谷 伸広
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-075985
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 疎のパターンと密のパターンが混在するパターンを露光する場合に、疎のパターン及び密のパターンそれぞれに最適な照明条件で多重露光することにより露光特性を向上させた半導体装置製造用マスク、その製造方法及び露光方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置製造用マスクは、疎のパターンからなる第1マスクと、密のパターンからなる第2マスクと、を備え、第1マスク及び第2マスクそれぞれを別々の照明条件で露光することにより一つの露光パターンを転写する半導体装置製造用マスクであって、第1マスクは、上記露光パターンの設計データを所定倍率に拡大した際に隣接するパターン同士が重ならない孤立パターンのみを有し、第2マスクは、上記露光パターンの設計データを所定倍率に拡大した際に隣接するパターン同士が重なる密パターンのみを有するものである。

請求項（抜粋）：

疎のパターンからなる第1マスクと、密のパターンからなる第2マスクと、を備え、第1マスク及び第2マスクそれぞれを別々の照明条件で露光することにより一つの露光パターンを転写する半導体装置製造用マスクであって、第1マスクは、上記露光パターンの設計データを所定倍率に拡大した際に隣接するパターン同士が重ならない孤立パターンのみを有し、第2マスクは、上記露光パターンの設計データを所定倍率に拡大した際に隣接するパターン同士が重なる密パターンのみを有することを特徴とする半導体装置製造用マスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 A

Fターム (7件)：

2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BC04 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17