特許
J-GLOBAL ID：200903087954651847
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084801
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、ゲート酸化膜上にゲートとなるポリシリコン及びタングステンシリサイドを形成し、この後、ポリサイドゲート形成のための高温熱処理をしてもゲート酸化膜の膜厚を厚くなり難くして所望の膜厚で形成することができ、安定した所望の素子特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 反応室内にタングステン及びフッ素含有化合物ガスと、シリコン及び水素含有化合物ガスとの反応ガスを導入するとともに、タングステンシリサイド膜中にフッ素が拡散し取り込まれるのを防止するフッ素以外の不純物含有ガスを導入し、化学気相成長法により該タングステン及びフッ素含有化合物ガスと、該シリコン及び水素含有化合物ガスとを化学反応させて被処理基板上にタングステンシリサイド膜を形成する工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
反応室内にタングステン及びフッ素含有化合物ガスと、シリコン及び水素含有化合物ガスを導入するとともに、タングステンシリサイド膜中にフッ素が拡散し取り込まれるのを防止するフッ素以外の不純物含有ガスを導入し、化学気相成長法により該タングステン及びフッ素含有化合物ガスと、該シリコン及び水素含有化合物ガスとを化学反応させて被処理基板上にタングステンシリサイド膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/28
, H01L 21/336
, H01L 29/784
