特許
J-GLOBAL ID：200903087956619070
垂直通電型磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204003
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の抵抗値がばらつくのを可及的に防止することが可能で、歩留まりを可及的に高くすることを可能にする。【解決手段】 下部電極2を形成し、下部電極上に複数の層を有する磁気抵抗効果膜4を形成し、磁気抵抗効果膜上にマスク6を形成し、このマスクを用いて磁気抵抗効果膜をパターニングし、マスクを残したまま磁気抵抗効果膜よりも抵抗の高い高抵抗膜10を磁気抵抗効果膜の脇に形成し、マスクを除去し、磁気抵抗効果膜上に存在する高抵抗膜を除去し、磁気抵抗効果膜上に上部電極12を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
下部電極を形成し、前記下部電極上に複数の層を有する磁気抵抗効果膜を形成し、前記磁気抵抗効果膜上にマスクを形成し、このマスクを用いて前記磁気抵抗効果膜をパターニングし、前記マスクを残したまま前記磁気抵抗効果膜よりも抵抗の高い高抵抗膜を前記磁気抵抗効果膜の脇に形成し、前記マスクを除去し、前記磁気抵抗効果膜上に存在する前記高抵抗膜を除去し、前記磁気抵抗効果膜上に上部電極を形成することを特徴とする垂直通電型磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01C 7/00
, H01F 41/34
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01C 7/00 D
, H01F 41/34
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034AA03
, 5D034BA06
, 5D034BA15
, 5D034DA07
, 5E033AA02
, 5E049AA01
, 5E049BA12
, 5E049CB01
, 5E049GC01
