特許
J-GLOBAL ID：200903087959450858
四ホウ酸リチウム単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-262596
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【構成】 垂直ブリッジマン法もしくは垂直グラディエントフリーズ法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成において、黒鉛製のるつぼを使用するとともに、原料を入れた該るつぼを石英製アンプル内に真空封入して結晶を育成するようにした。【効果】 四ホウ酸リチウム単結晶と濡れ性の悪い黒鉛製のるつぼを使用しているため、成長後の結晶を取り出す際にるつぼを破壊しなくてすむとともに、るつぼを石英製アンプル内に真空封入するようにしているため、湿度や温度ゆらぎの影響がなくなって再現性よく高歩留まりで良質な四ホウ酸リチウム単結晶を育成することができる。
請求項（抜粋）：
垂直ブリッジマン法もしくは垂直グラディエントフリーズ法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成において、黒鉛製のるつぼを使用するとともに、原料を入れた該るつぼを石英製アンプル内に真空封入して結晶を育成するようにしたことを特徴とする四ホウ酸リチウム単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭60-062659
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特開昭62-051742
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