特許

J-GLOBAL ID：200903087961477690

半導体素子の接続構造及びその接続方法

発明者： 遠山 広 ,  小澤 進 ,  北山 憂子 ,  高橋 渉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130296
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308417
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 固着力が高く安定した電気的接続を得られる半導体素子の接続構造を提供する。【解決手段】 電極(14)上にバンプ(16)が形成された半導体素子(10)と,そのバンプ位置に対応する位置に接続電極(20)が形成された部品とを相互に接続するために,半導体素子と部品との間に,導電性粉体(24)を分散された合成樹脂材料から成る異方性導電接着剤層(22)を配する。そして,バンプ材料として金を使用し,接続電極材料として金と共晶接合(26)または合金接合(図示せず)を形成する金属材料を使用し,バンプと接続電極を相互に接触させ,接触界面に共晶接合または合金接合を形成する。そのため,樹脂固着力のみならず,共晶結合または合金結合による固着力も適用されるので,より強固で確実な電気的接続を得ることができる。

請求項（抜粋）：

電極上にバンプが形成された半導体素子と,前記バンプと接続される接続電極が形成された部品と,前記半導体素子と前記部品との間に適用され導電性粉体が分散された合成樹脂から成る異方性導電接着剤層とを含む,半導体素子の接続構造において:前記バンプ材料は金であり,前記接続電極材料は金との接触界面に共晶接合または合金接合を形成する金属材料であることを特徴とする,半導体素子の接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 T