特許

J-GLOBAL ID：200903087967121227

気相成長装置

発明者： 松宮 康夫 ,  佐久間 芳樹 ,  尾関 雅志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202082
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047666
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも陽イオン成分を含有する有機金属から成る原料ガスを用いて化合物半導体結晶を成長させるための気相成長装置に関し,陽イオン成分を含有する原料ガスと陰イオン成分を含有する原料ガスを交互に供給するいわゆる原子層エピタキシ(ALE) とこれらの原料ガスを同時に供給する化学気相成長(VPE)とを実施可能な装置を提供することを目的とする。【構成】 一つの反応管の軸上にALE を実施する領域とVPE を実施する領域とを画定し, その内部における原料ガスの流速が, ALE 実施領域においてはセルフリミティング効果が現れる限界値以上になるように, 一方, VPE 実施領域においては上記限界値以下となるようにする。このために, 反応管の断面積を, ALE 実施領域においては小さく, VPE 実施領域においては大きくする。結晶成長が行われる基板は, 両領域の間を往復移動可能に支持され, かつ, それぞれの領域において所定温度に保持可能にされる。

請求項（抜粋）：

少なくとも陽イオン成分を含有する原料ガスが有機金属から成り陰イオン成分を含有する原料ガスと該有機金属原料ガスとを反応管中に導入して該反応管中に設置された基板上に該陽イオン成分と陰イオン成分から成る化合物の単結晶層を成長させる気相成長装置であって,その内壁と前記基板との間が狭隘にされている第1の領域とその内壁と該基板との間が拡張されている第2の領域とを有する前記反応管と,前記反応管の内部において前記基板を前記第1の領域と第2の領域との間に移動させる手段と,前記第1および第2の領域のそれぞれにおいて該基板を所定温度に加熱するための手段とを備えたことを特徴とする気相成長装置。