特許

J-GLOBAL ID：200903087974099440

高耐圧半導体装置

発明者： 藤島 直人 ,  鶴田 芳雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175517
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007327
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】耐圧低下および耐圧の経時変化を防止できる高耐圧半導体装置を提供すること。【解決手段】p基板1の表面層に選択的にn+ ソース領域2と、nウエル領域4の表面層に選択的にn+ ドレイン領域5を形成し、nウエル領域4上に熱酸化膜8を形成し、熱酸化膜8上にnポリシリコンフィールドプレート9aを形成し、このnポリシリコンフィールドプレート9aの両端部に第1接続導体14と第2接続導体15をそれぞれ形成し、nポリシリコンフィールドプレート9a上に層間絶縁膜16を挟んで第1導電膜17を形成し、この第1導電膜17はソース電極12と第1接続導体10とにそれぞれ接続し、ドレイン電極13と第2接続導体15は第2導電膜18で接続し、第1導電膜17上および第2導電膜18上および層間絶縁膜16が露出してる箇所の上にパッシベーション膜19を被覆し、その上をモールド樹脂20で被覆する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面層に低電位側の第1領域と、高電位側の第2領域を有し、第1領域と第2領域との間で電位の遷移を行う高耐圧半導体装置において、第1領域と第2領域に挟まれた半導体基板の主面上に絶縁膜を介してn型抵抗性膜を形成し、第1領域側の該n型抵抗性膜の端部と第1領域が電気的に接続し、第2領域側の該n型抵抗性膜の端部と第2領域が電気的に接続し、該n型抵抗性膜上に絶縁膜を介して形成され、第1領域側のn型抵抗性膜の端部と電気的に接続する第1導電膜を有することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/44 E

Fターム (30件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH18 ,  5F040DA00 ,  5F040DA02 ,  5F040DB03 ,  5F040DB05 ,  5F040DB06 ,  5F040DB08 ,  5F040DB10 ,  5F040EA00 ,  5F040EB12 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040EF18 ,  5F040EL06 ,  5F040EM01 ,  5F040EM06 ,  5F048AA05 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BC16 ,  5F048BE08 ,  5F048BG01