特許

J-GLOBAL ID：200903087981224993

集積半導体メモリの製造方法

発明者： ドミニク サヴイニアツク
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096584
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 予め定められたメモリ容量の半導体メモリを、予め定められたメモリ容量の既存の他の半導体メモリのレイアウトよりもはるかにチップ面積が少なくてすむレイアウトにより製造することを可能にする。【構成】 予め定められたメモリ容量を有する集積半導体メモリの製造のために必要なレイアウトが、予め定められたメモリ容量よりも大きいメモリ容量を有する半導体メモリのレイアウトの使用のもとに作成され、その際により大きいメモリ容量を有する半導体メモリのレイアウトがより多くのメモリセル領域を有し、またこれらのメモリセル領域の予め定められたメモリ容量に相応する部分のみが使用される。尚、Q1〜Q4:象限、ZF11〜ZF42:メモリセル領域、BKDEC1〜BKDEC4:ブロックデューダ、WD11〜WD42:ブロックデューダ・ユニット、P:周辺回路部分である。

請求項（抜粋）：

予め定められたメモリ容量を有する集積半導体メモリを製造するための方法において、予め定められたメモリ容量を有する集積半導体メモリの製造のために必要なレイアウトが、予め定められたメモリ容量よりも大きいメモリ容量を有する半導体メモリのレイアウトの使用のもとに作成され、その際により大きいメモリ容量を有する半導体メモリのレイアウトがより多くのメモリセル領域(ZF11...ZF18、ZF21...ZF28、ZF31...ZF38、ZF41...ZF48)を有し、またこれらのメモリセル領域(ZF11...ZF18、ZF21...ZF28、ZF31...ZF38、ZF41...ZF48)の予め定められたメモリ容量に相応する部分(ZF11、ZF12、ZF21、ZF22、ZF31、ZF32、ZF41、ZF42)のみが使用されることを特徴とする集積半導体メモリの製造方法。

IPC (3件)：

G11C 11/403 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

G11C 11/34 371 J ,  H01L 21/82 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-024492
  
• 特開昭61-123154
  
• 特開平4-285799