特許

J-GLOBAL ID：200903087981256054

化学増幅ポジ型レジスト材料用の光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 前田 和規 ,  大澤 洋一 ,  渡邉 聡
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205698
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133393
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される化学増幅ポジ型レジスト材料用の光酸発生剤。【化1】(式中、G及びG’はそれぞれ硫黄原子、又は-CH=CH-を示すが、同時に硫黄原子を示すことはない。Rは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。kは0〜4の整数である。)【効果】本発明の2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホン酸を発生する光酸発生剤を用いた化学増幅ポジ型レジスト材料は、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少ない。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される化学増幅ポジ型レジスト材料用の光酸発生剤。

IPC (7件)：

G03F7/004 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F232/08 ,  C09K3/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (7件)：

G03F7/004 503A ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F232/08 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (36件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC27Q ,  4J100BC60Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38