特許

J-GLOBAL ID：200903087981470536

プラズマ処理方法

発明者： 後藤 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-237256
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051486
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理方法に関し、高温のパーティクルの落下による金属汚染を防止する。【解決手段】 プラズマを利用した被処理基板1に設けた被処理対象物の除去工程終了直後に、プラズマを発生させるための電力を除去工程における値よりも低く設定し、且つ、交流電力を被処理基板1に印加する後処理工程を設ける。

請求項（抜粋）：

プラズマを利用した被処理基板に設けた被処理対象物の除去工程終了直後に、プラズマを発生させるための電力を前記除去工程における値よりも低く設定し、且つ、交流電力を被処理基板に印加する後処理工程を設けることを特徴とするプラズマ処理方法。

Fターム (7件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB10