特許

J-GLOBAL ID：200903087984236143

超電導体の着磁方法

発明者： 柳 陽介 ,  岡 徹雄 ,  伊藤 佳孝 ,  吉川 雅章
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305631
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133849
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 超電導体に着磁する際に、ピン止め力によって超電導体に加えられる応力の増大を抑制し、かかる応力の増大による応力破壊を防止すること。【解決手段】 前記超電導体を超電導遷移温度以下に冷却する冷却過程中に、前記超電導体に印加する磁場を小さくする。冷却過程中において、温度の比較的高い、即ち電流密度が小さい冷却初期段階では磁場が大きく、温度の比較的低い、即ち電流密度が大きい冷却終了段階では磁場が小さくなる。このため比較的温度の低い(電流密度が大きい)時に大きな磁場を印加するというピン止め力が最も大きくなる状況を避けることができ、内部応力の増大による超電導体の破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

超電導体に外部から磁場を印加した状態で該超電導体を超電導遷移温度以下の任意の所望温度に冷却し、その後に外部からの磁場を取り去ることにより前記超電導体を着磁する、超電導体の着磁方法において、前記超電導体を超電導遷移温度以下の任意の所望温度に冷却する冷却過程中で前記超電導体の温度を超電導遷移温度から前記所望温度に冷却するまでの間に、前記超電導体に印加されている磁場を小さくすることを特徴とする、超電導体の着磁方法。

Fターム (6件)：

4M114AA14 ,  4M114AA29 ,  4M114AA40 ,  4M114CC03 ,  4M114CC11 ,  4M114DA02