特許

J-GLOBAL ID：200903087984702543

量子細線およびその作製方法

発明者： 菅田 純雄 ,  平山 祥之 ,  清水 均
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190452
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 一回の連続した結晶成長により製作可能な量子細線とその製造方法を提供する。【構成】 メサ形状を有する半導体基板1上に、両性不純物をドーピングした3-5族化合物半導体層6を積層し、該半導体層6の電気抵抗がメサ側面5においてメサ上面4よりも高くなるようにする。

請求項（抜粋）：

メサ形状を有する半導体基板上に、両性不純物をドーピングした3-5族化合物半導体層が積層され、該半導体層の電気抵抗がメサ側面においてメサ上面よりも高いことを特徴とする量子細線。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18