特許
J-GLOBAL ID：200903087984920800
半導体レーザ装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329052
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183414
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 高い気密性を有し、きわめて長期信頼性に優れた半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【構成】 樹脂パッケージ19を構成する枠体15に凹部20を設け、第1の接着剤21を塗布した後、光学部品12をその凹部20に配置し、半導体レーザチップ13に対して位置合わせを行い、つぎに第2の接着剤22を光学部品12の周囲側面と枠体15の上面に充填することにより三次元的な接着面を構成した。【効果】 樹脂パッケージの気密性を高められ、樹脂パッケージ内への水分の侵入が阻止されて、長期信頼性が向上した。
請求項（抜粋）：
主として半導体レーザチップと、その半導体レーザチップを内部に収納する枠体と保護板とよりなる樹脂パッケージと、その樹脂パッケージの上面に接着剤を介して設けられた光学部品とからなる半導体レーザ装置であって、前記枠体の上面内周部に前記光学部品の厚みより小さい段差を有する凹部を設けることにより前記枠体と光学部品が三次元的な接合面を構成する半導体レーザ装置。
引用特許：
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