特許
J-GLOBAL ID：200903087992434299
YSZ薄膜を用いたSOIデバイスの作製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318931
公開番号（公開出願番号）：特開平7-150361
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月13日
要約：
【要約】【目的】 サファイア上に配向性の良好なYSZ薄膜を低コストで作製することができ、且つ膜厚の制御性に優れたYSZバファー層の作製法を提供すること。【構成】 サファイア上高配向なYSZ薄膜を作製する方法であって、大気圧下のエアロゾル発生器の中の容器7に原料溶液を入れる段階と、前記容器内の原料溶液に超音波を作用させてエアロゾル8を発生させる段階と、エアロゾルを噴霧させる段階と、噴霧したエアロゾルをあらかじめ加熱したサファイア16上に噴霧してYSZ膜を成膜させる段階と、を包含する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶上に高配向なYSZ薄膜を作製する方法であって、大気圧下のエアロゾル発生器の中の容器に原料溶液を入れる段階と、前記容器原料溶液に超音波を作用させてエアロゾルを発生させる段階と、エアロゾルをあらかじめ加熱したシリコン単結晶上に噴霧してYSZ膜を成膜させる段階と、を包含することを特徴とするYSZ薄膜を用いたSOIデバイスの作製法。
IPC (4件)：
C23C 18/12
, H01L 21/20
, H01L 21/314
, H01M 8/02
