特許

J-GLOBAL ID：200903088001313339

イオン注入方法及びイオン注入装置

発明者： 藤井 眞治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007357
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198523
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入時におけるゲート酸化膜静電破壊を少なくする。【構成】 半導体基板15に電子シャワー装置18より電子を照射するとともに、高周波電源19(13.56MHz)により高周波電力(13.56MHz、進行波電力20W)を印加する。これにより、イオンビームがあたって半導体基板15の表面の強く正に帯電した部分を効率よく中和することができ、ゲート酸化膜23の静電破壊が抑制される。半導体基板に照射する電子電流は、従来14mAであったものが本発明では6mAとなる。このため、半導体基板15表面の帯電分布の変動が小さくなり、ゲート酸化膜静電破壊の発生のおそれが少なくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にホトレジストを塗布しパターニングを行ってイオン注入遮蔽マスクを形成する工程と、前記半導体基板に所定導電型の不純物をイオン注入する工程と、前記イオン注入と同時に前記半導体基板に電子を照射する工程と、前記イオン注入と同時に前記半導体基板に高周波電力を印加する工程を含むことを特徴とするイオン注入方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (2件)：

H01L 21/265 N ,  H01L 21/265 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-028861
  
• 特開昭60-072228
  
• 特開昭59-204231