特許
J-GLOBAL ID：200903088003426416
半導体デバイス及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-526434
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511872
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：
【要約】デバイスがメタライズされた(505、565)後でアルミニウムの自然酸化膜(581、582)を得ることができる酸化の実現によって、デバイス動作、信頼性及び寿命において効果が得られる。半導体デバイスの製造方法が開示されており、少なくとも1つの層がアルミニウムを含むIII-V族の半導体材料(530、550)であり、該III-V族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極(505、565)を与える段階と、前記アルミニウムを含むIII-V族の半導体材料の部分をアルミニウムの自然酸化膜(581、582)に変換するために、含水環境内で前記メタライズされた構造を加熱する段階とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの層がアルミニウムを含むIII-V族の半導体材料であり、該III-V族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、 メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極を与える段階と、 前記アルミニウムを含むIII-V族の半導体材料の部分をアルミニウムの自然酸化膜に変換するために、含水環境内で前記メタライズされた構造を加熱する段階とを備えた半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/28 301
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/28 301 H
, H01L 33/00 A
