特許
J-GLOBAL ID:200903088004473221
磁気センサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大庭 咲夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-263630
公開番号(公開出願番号):特開2002-071775
出願日: 2000年08月31日
公開日(公表日): 2002年03月12日
要約:
【要約】【課題】 磁気トンネル効果素子を用いた磁気センサの温度特性を改善し、外部磁界の向きの検出精度を向上すること。【解決手段】 磁気センサは、第1磁気トンネル効果素子31と、同第1磁気トンネル効果素子素子の面積よりも小さい面積を有することで感度が低下された第2磁気トンネル効果素子32と、直流定電圧源33とを備え、第1磁気トンネル効果素子と第2磁気トンネル効果素子とを直列接続するとともに、これに直流定電圧源を直列に接続し、第2磁気トンネル効果素子の両端電圧を出力電圧Voutとして取り出すハーフブリッヂ回路により構成されている。これにより、出力電圧Voutは、外部磁界が「0」のとき環境温度に拘らずVin/2となり、また外部磁界の向きが異なれば環境温度が変化しても異なる値となる。
請求項(抜粋):
直流電圧源と、磁化の向きが所定の向きに固定された固定磁化層と磁化の向きが外部磁界に応じて変化する自由磁化層と前記固定磁化層及び前記自由磁化層の間に挟まれた絶縁層とを含んでなる磁気トンネル効果素子と、を備えた磁気センサにおいて、前記磁気トンネル効果素子であって第1の面積を有するものと、前記磁気トンネル効果素子であって前記第1の面積より小さい第2の面積を有するものとを、前記直流電圧源に対して直列に接続し、前記磁気トンネル効果素子の何れかの素子の両端電圧を出力するように構成したことを特徴とする磁気センサ。
IPC (5件):
G01R 33/09
, G11B 5/02
, G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/08
FI (5件):
G11B 5/02 U
, G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
Fターム (17件):
2G017AA03
, 2G017AB05
, 2G017AC04
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA02
, 5D034BB02
, 5D034BB14
, 5D034CA03
, 5D091DD03
, 5D091HH11
, 5E049AA01
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB02
前のページに戻る