特許

J-GLOBAL ID：200903088007184816

埋め込みプラグの形成方法

発明者： 西本 佳嗣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299373
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、製造工程を簡単化するこによりスループットの向上を図るとともに、深さが異なるコンタクトホールに、低抵抗な埋め込みプラグを容易に形成することを可能にする。【構成】 第1の工程で、コンタクトホール14の内部と絶縁膜13の上面とに導電性粒子を含む液体15を塗布した後、導電性粒子を含む液体15の液体17を蒸発させてコンタクトホール14の内部と絶縁膜13の上面とに導電性粒子16よりなる導電膜18を形成する。その後第2の工程で、導電膜18をエッチバックして、コンタクトホール14の内部のみに導電膜18よりなる埋め込みプラグ19を形成する。または上記第1の工程において、導電性粒子を含む液体15の代わりに溶剤で溶かした導電性樹脂(図示せず)を用い、その溶剤を蒸発させることにより導電膜(図示せず)を形成した後、上記第2の工程を行う。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に形成したコンタクトホールの内部と当該絶縁膜の上面とに、導電性粒子を含む液体を塗布した後、その液体を蒸発させることにより、当該コンタクトホールの内部と当該絶縁膜の上面とに導電性粒子よりなる導電膜を形成する第1の工程と、前記導電膜をエッチバックして前記絶縁膜の上面に形成した導電膜を除去することにより、前記コンタクトホールの内部に当該導電膜よりなる埋め込みプラグを形成する第2の工程とを行うことを特徴とする埋め込みプラグの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-082529
  
• 特開昭61-032443
  
• 特開昭60-133758
  
• 特開平2-271524