特許

J-GLOBAL ID：200903088008011451

窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法

発明者： 後藤 順 ,  赤松 正一 ,  河田 雅彦 ,  皆川 重量
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261598
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107006
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザを作製する場合、共振器を作製する行うエッチングには従来、プラズマを用いたドライエッチングが用いられて来たが、この方法ではエッチング表面の荒れが問題となっており、レーザの特性に悪影響を及ぼしていた。【解決手段】 本発明では、窒化ガリウム系化合物半導体を水素と炭化水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングを行う事を特徴とする新しいドライエッチング法を与える。【効果】 本発明では化学的な反応を用いてエッチングを行う為、平滑で損傷の無いエッチング表面が得られ、レーザの特性を飛躍的に向上させた。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体を炭化水素ガスと水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/302 P ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18