半導体基板およびそれを用いた表示装置およびその製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329701
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】表示装置の製造過程、クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなどで生じる基板汚染が起因するデバイス特性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の洗浄を管理する。【解決手段】本発明は、基板上の酸化膜がエッチング除去され、清浄化さらた後に露出したシリコン膜面や、基板上の金属膜を覆う自然酸化膜面や、膜形成による絶縁膜表面が清浄化され、その膜面が水素処理によって改質されることに特徴を有する。これにより次のような作用を有する。すなわち、これによって基板上の膜面を改質・安定化することで膜面の清浄性を保ち、しいては積層界面を清浄に保つことで良好な特性を有する半導体基板を提供するものである。

請求項（抜粋）：

酸化膜を有する半導体基板であって、前記酸化膜の一部又は全部が除去され清浄化されて、前記基板面が水素処理によって改質されることを特徴とする半導体基板。

IPC (10件)：

H01L 21/304 647 , B08B 3/08 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 310 , G11B 5/31 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/02 , H05B 33/14

FI (11件)：

H01L 21/304 647 Z , B08B 3/08 Z , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 310 , G11B 5/31 A , G11B 5/31 G , H05B 33/02 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 627 Z

Fターム (43件)：

2H092JA24 , 2H092MA23 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3B201AA01 , 3B201BB01 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CC01 , 3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA29 , 5C094EB05 , 5C094GB10 , 5D033BA51 , 5D033DA31 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110EE47 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG51 , 5F110GG57 , 5F110HJ21 , 5F110HL26 , 5F110NN39 , 5F110NN40 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435EE33 , 5G435KK05 , 5G435KK10

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