特許
J-GLOBAL ID：200903088009745483
逆ピラミッド型テクスチャーの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312781
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142755
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は太陽電池のシリコン基板の微細形状に関し、特に光電変換効率を向上を目的とした受光面における逆ピラミッド型テクスチャーの高精度形成方法を提供する。【構成】 逆ピラミッド型テクスチャーの形成方法において、フォトリソグラフィープロセスに用いるフォトマスク上に規則的に配列された開口部を、該開口部の一つのみを含む領域毎にフォトマスク面を分割する基本正方形格子に相似し、該基本正方形格子の大きさを越えない副正方形格子のそれぞれ一辺の少なくとも一部を含む四辺上の直線を、前記基本正方形格子の辺と平行となる部分を含まない線分で接続した形状とし、かつ隣接する開口部間では、該基本正方形格子の辺を挟んで、近接する直線同士の一方および他方が、該基本正方形格子の該辺に対して、対称投影した線分に重複しない関係にある形状とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
逆ピラミッド型テクスチャーの形成方法において、フォトリソグラフィープロセスに用いるフォトマスク上に規則的に配列された開口部を、該開口部の一つのみを含む領域毎にフォトマスク面を分割する基本正方形格子に相似し、該基本正方形格子の大きさを越えない副正方形格子のそれぞれ一辺の少なくとも一部を含む四辺上の直線を、該基本正方形格子の辺と平行となる部分を含まない線分で接続した形状とし、かつ隣接する開口部間では、該基本正方形格子の辺を挟んで、近接する直線同士の一方が、他方の直線を該基本正方形格子の該辺に対して対称投影した線分に重複しない関係を有する形状とすることを特徴とする逆ピラミッド型テクスチャーの形成方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 F
