特許

J-GLOBAL ID：200903088010902428

耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物、これを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法

発明者： 朴 海 成 ,  許 康 憲 ,  金 佑 燮 ,  金 俊 煕 ,  金 鍾 翰
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  三好 保男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035388
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】本発明は耐還元性誘電体磁器組成物に関するもので、より詳しくは低温焼成によっても比誘電率が高くてX5R特性(-55〜85°C、△C=±15%以内)を満足する誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法に関するものを提供する。【解決手段】BaTiO3と、前記BaTiO3100モルに対してMgCO30.2〜3.0モル、Y2O3、Ho2O3、Dy2O3、Yb2O3のグループにから選ばれた1種以上の化合物0.05〜1.5モル、Cr2O30.1〜1.5モル、BaxCa(1-x)SiO3(但し、0≦x≦1)0.2〜3.0モル、及び、Mn2V2O70.01〜1.5モルを含んで成る耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物、及び、それを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

BaTiO3と、前記BaTiO3100モルに対してMgCO30.2〜3.0モル、Y2O3、Ho2O3、Dy2O3、Yb2O3のグループにから選ばれた1種以上の化合物0.05〜1.5モル、Cr2O30.1〜1.5モル、BaxCa(1-x)SiO3(但し、0≦x≦1)0.2〜3.0モル、及び、Mn2V2O70.01〜1.5モルを含んで成る耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。

IPC (3件)：

C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

FI (5件)：

C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364

Fターム (37件)：

4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031BA26 ,  4G031CA03 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB10 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB40