特許

J-GLOBAL ID：200903088011936288

TiN膜の形成方法

発明者： 大下 祥雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042559
公開番号（公開出願番号）：特開平8-218169
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレッジ性を低下させることなくバリア性などの膜質の向上を図る。【構成】 Tiを含む有機金属原料ガスを、保管容器108よりバルブ110、マスフローコントローラ111、気化器112、シャワーヘッド117を介して、チャンバ101内に供給する。窒素系原料ガスとしてのNH3 もバルブ116、マスフローコントローラ115、シャワーヘッド117を介して、チャンバ内に供給する。ガス導入口105よりCl2 等のハロゲン系ガスを少量供給しつつ、TiN膜を成長させる。ハロゲン系ガスは、成長速度を抑制するから、このガスを添加することにより、基板温度を上げて膜質を向上させてもステップカバレッジを悪化させないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

TiおよびNを構成元素として含む有機金属ガス、または、Tiを構成元素として含む有機金属ガスおよびNを含む原料ガスを使用して化学気相成長法によりTiN膜を成長させる方法において、有機金属ガスの供給と同時に少量のハロゲン系ガスを供給してTiNを堆積することを特徴とするTiN膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 301

FI (2件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 301 R