特許
J-GLOBAL ID：200903088016489387
熱電変換素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264128
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107130
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明の熱電変換素子およびその製造方法は、熱電変換素子の性能向上を図るとともに、熱電材料で問題となっていた加工時およびモジュール化後の耐衝撃性を向上させ、その効率的製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の薄膜11と第1の絶縁基板7と第2の薄膜12と第2の絶縁基板8とが積層構造を成し、第1の薄膜11と第2の薄膜12とは、第1の絶縁基板7の端面に形成された第1の電極と、第2の絶縁基板8の端面に形成された第2の電極によって電気的に直列に接続される。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁基板と第2の絶縁基板とが交互に積層する積層構造を備え、前記第1の絶縁基板と第2の絶縁基板との間に形成される第1の半導体薄膜と、前記第2の絶縁基板と第1の絶縁基板との間に形成される第2の半導体薄膜と、前記第1の絶縁基板の端面を介して形成され、前記第1の半導体薄膜と第2の半導体薄膜とを電気的に接続する第1の電極と、前記第1の電極の形成された端面と互いに対向する前記第2の絶縁基板の端面を介して形成され、第2の半導体薄膜と第1の半導体薄膜とを電気的に接続する第2の電極とを具備し、前記第1の半導体薄膜と前記第2の半導体薄膜とは、電気的に直列接続されることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/16
