特許
J-GLOBAL ID：200903088017268945

微細流路の側壁に形成されたMOSFETよりなる物質検出用チップ、これを含む物質検出装置、及び物質検出装置を利用した物質検出方法

発明者：
リン,ゲウン-バエ

リン,ゲウン-バエ について

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パーク,チン-スン

パーク,チン-スン について

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チョ,ヨーン-キョウン

チョ,ヨーン-キョウン について

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キム,スン-ヘエ

キム,スン-ヘエ について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-583675
公開番号（公開出願番号）：特表2004-520595
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
本発明は、微細流路の側壁に形成されたMOSFETで構成された物質検出用チップ及びこれを含む物質検出用装置に関する。MOSFETが微細流路の側壁に形成されているために物質検出用チップの高集積化が容易である。本発明による物質検出用チップを利用する場合、プローブがゲート電極表面に直接吸着されるのでインサイチュでプローブの結合を確認でき、プローブにターゲット分子が結合されているかどうかもインサイチュで検出できる。また、本発明は、前記物質検出用装置を利用した物質検出方法、具体的には物質プローブの固定化や物質プローブとターゲット試料との結合程度を定量的に検出する方法に関する。また、本発明は、前記物質検出用装置にヒーター及び温度センサーが同時に装着された温度制御-検出部を含む核酸突然変異分析装置及びこれを利用した核酸突然変異分析方法に関する。本発明によれば、MOSFET型センサーに付着された核酸のTm温度で変性された二重線核酸または復元された二重線核酸を検出することによって、核酸の突然変異、特に核酸のSNPを効果的に検出できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記基板表面に形成され、物質試料の通路になる微細流路と、 前記微細流路の側壁に形成されたMOSFETとを含む物質検出装置用チップ。
IPC (10件)：
G01N27/414 ,  C12M1/00 ,  C12M1/34 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/68 ,  G01N27/28 ,  G01N27/416 ,  G01N27/42 ,  G01N33/53 ,  G01N37/00
FI (20件)：
G01N27/30 301K ,  C12M1/00 A ,  C12M1/34 B ,  C12Q1/68 A ,  G01N27/28 321Z ,  G01N27/42 M ,  G01N33/53 M ,  G01N37/00 101 ,  G01N37/00 102 ,  C12N15/00 F ,  G01N27/30 301W ,  G01N27/30 301E ,  G01N27/30 301Y ,  G01N27/30 301R ,  G01N27/30 301L ,  G01N27/30 301M ,  G01N27/30 301N ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/46 336M
Fターム (24件)：
4B024AA11 ,  4B024CA01 ,  4B024CA11 ,  4B024HA08 ,  4B024HA11 ,  4B029AA07 ,  4B029BB15 ,  4B029BB20 ,  4B029CC03 ,  4B029FA02 ,  4B029FA12 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR08 ,  4B063QR32 ,  4B063QR42 ,  4B063QR55 ,  4B063QR82 ,  4B063QS32 ,  4B063QS34 ,  4B063QS36 ,  4B063QX04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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