特許

J-GLOBAL ID：200903088017896709

孔パターンの形成方法

発明者： 春日 卓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217842
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ネガ型レジスト膜に寸法制御性に優れていて側壁が大きなテーパにならない微細な孔パターンの形成を可能にする。【構成】 第1の工程で、基板11上にネガ型レジスト膜12を形成した後、第2の工程で、露光によってフォトマスク20の遮光パターン21をレジスト膜に転写し、その後第3の工程で、露光したネガ型レジスト膜12を現像処理して、当該ネガ型レジスト膜12に孔パターン13を形成する方法であって、フォトマスク20の遮光パターン21の寸法を形成しようとする孔パターン13の寸法の1.1倍〜1.5倍に対応する大きさに形成し、露光をオーバ露光によって行う方法である。

請求項（抜粋）：

基板上にネガ型レジスト膜を形成する第1の工程と、露光によってフォトマスクの遮光パターンを前記ネガ型レジスト膜に転写する第2の工程と、前記露光したネガ型レジスト膜を現像処理して、当該ネガ型レジスト膜に孔パターンを形成する第3の工程とよりなる孔パターンの形成方法において、前記フォトマスクの遮光パターンの寸法を前記形成しようとする孔パターンの寸法の1.1倍〜1.5倍の寸法に形成して、前記露光をオーバ露光により行うことを特徴とする孔パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 Z ,  H01L 21/30 301 P