特許
J-GLOBAL ID：200903088019482600
スパッタリングチャンバにおける粒状物質の発生を抑制する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-336260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-212576
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造システムにおけるプラズマチャンバ用RFコイルをコンディショニングして、ワークピース上に放出される粒状物質を低減する。【解決手段】 記載の実施形態では、酸化物その他の汚染物質をコイル表面から取り除くために、コイルがターゲットのスパッタリングに先立ってスパッタされる。その結果、コイルに後に堆積されるターゲット材料からの粒状物質の放出が低減される。
請求項（抜粋）：
半導体製造システム内でプラズマを付勢してワークピース上にターゲットから材料をスパッタするためのコイルをコンディショニングする方法であって、前駆物質ガスをイオン化するための前記コイルにRF電力を加えること、および前記コイルから汚染物質を除去するために前記コイルをスパッタすること、を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 S
, H01L 21/203 S
