特許

J-GLOBAL ID：200903088020688343

半導体装置およびその製造方法

発明者： 水島 一郎 ,  柏木 正弘 ,  國島 巌 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252356
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090206
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、微細化に際してもコンタクト抵抗の十分に小さいコンタクトを形成することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体基板に形成されるボロンを不純物として導入した不純物領域に対してコンタクトを形成するに際し、このコンタクトの形成は、ボロンとの化合物よりもシリコンとの化合物を形成する際の自由エネルギー低下が大である金属例えばバナジウム等の硅化物を形成することにより行うようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板にボロンを不純物として導入した不純物領域が形成され、該領域に対してコンタクトするコンタクト層が形成された半導体装置において、前記基板のコンタクト層が、ボロンとの化合物よりもシリコンとの化合物を形成する際の自由エネルギー低下が大である金属の硅化物で構成されていることを特徴とする半導体装置。