特許

J-GLOBAL ID：200903088024571491

レーザ照射装置およびレーザ照射方法

発明者： 十文字 正之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-307198
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133593
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 レーザアニールにより多結晶半導体膜を形成する際、レーザ照射装置の小型化を図りつつレーザ光のエネルギーの利用効率を高め、さらに、多結晶組織の膜質の向上を図ること。【解決手段】 アモルファスシリコン膜4aに対してレーザ光を斜めの方向から直接照射するとともに、反射した光を凹面ミラー10により集光して間接照射する。直接照射領域6は、間接照射領域7の前方または後方に位置するようにする。

請求項（抜粋）：

レーザ光を半導体薄膜に照射するレーザ照射装置において、レーザ光を発生するレーザ光発生手段と、該レーザ光を半導体膜に対して斜めの方向から直接照射するように照射角度を調整する光学系と、直接照射したレーザ光が半導体膜で反射した光を集光し、再び半導体膜に導いて間接照射せしめる集光手段とを備えたことを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 J

Fターム (12件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01