特許
J-GLOBAL ID：200903088027927378
過熱検出回路
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170080
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017110
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズの小型化及び検出温度のばらつきの低減をはかる。【解決手段】 パワー素子の温度が上昇するにつれ、Pチャネル型MOSFET17,18とNチャネル型MOSFET27,28と共に電流源15を構成する抵抗16と、電源ラインを基準として比較器11の正相入力に順方向電圧を減算供給する第1ダイオード回路14及び接地ラインを基準として比較器11の負相入力に順方向電圧を加算供給する第2ダイオード回路24も温度が上昇する。抵抗16は正の温度係数を有するためその抵抗値が大きくなってダイオード回路14,24に流れる電流が小さくなる。またダイオード回路14,24の順方向電圧も低くなる。このとき、比較器11の正相入力の電圧VB は正の傾きで変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなっていき、負相入力の電圧VA は負の傾きで変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなり、VA <VB となったとき過熱検出信号を出力する。
請求項（抜粋）：
第1及び第2の入力をもつ比較器と、電源ラインを基準に順方向電圧を前記比較器の第1の入力に減算供給する第1ダイオード回路と、接地ラインを基準に順方向電圧を前記比較器の第2の入力に加算供給する第2ダイオード回路と、負の温度依存性を有し前記第1及び第2ダイオード回路に順方向電流を供給する電流源とを具備した過熱検出回路。
IPC (2件)：
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