特許
J-GLOBAL ID：200903088028360398
半導体装置の素子分離領域およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280693
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112308
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 比較的広い領域での素子分離を、中央部での凹みを生じることなく、良好に形成することができる半導体装置の素子分離領域の構造およびその製造方法を提供すること。【構成】 素子分離領域30がダミーパータン部32により複数の素子分離単位34に分割してある。各素子分離単位34は、たとえばトレンチ36内に埋め込み層40が埋め込まれ、その埋め込み層40の表面にLOCOS42が形成される埋め込み型素子分離構造である。各素子分離単位に形成されるLOCOS42のバーズビーク42aは、ダミーパターン部32で相互に接続されることが好ましい。ダミーパターン部32を微細パターンにするため、所定のパターンの透過光位相反転部分52を有するシフタ付き露光用レチクル50を用いて露光を行い、透過光位相反転部分とその他の部分との境界部に相当する微細パターンでダミーパターン部32を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成される素子分離領域において、上記素子分離領域がダミーパータン部により複数の素子分離単位に分割してあることを特徴とする半導体装置の素子分離領域。
IPC (2件)：
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