レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044014
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253673
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】エキシマレーザ光で露光可能な耐プラズマ性であるポジ型の化学増幅式レジスト組成物を提供すること。【構成】下記式で表わされる樹脂と光酸発生剤を含むレジスト組成物。【化1】(式中、R2 とR3 は一方がSi含有アルキル基、他方が酸により脱離する基を含む基である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式で表わされる樹脂と、光酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。【化1】〔式中、R<SP>1 </SP>は水素原子、ハロゲン基、アルキル基又はハロゲン化アルキル基であり、R<SP>2 </SP>及びR<SP>3 </SP>はいずれか一方が下記式【化2】{式中、R<SP>4 </SP>,R<SP>5 </SP>,R<SP>6 </SP>はそれぞれ独立して炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基又は下記式【化3】(式中、R<SP>7 </SP>,R<SP>8 </SP>,R<SP>9 </SP>はそれぞれ独立して炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基であり、jは1〜4の整数である。)で表わされる基であり、かつiは1〜4の整数である。}で表わされるSi含有基であり、かつR<SP>2 </SP>及びR<SP>3 </SP>の他方が酸により脱離する基を含む基であり、m及びnはそれぞれ整数であり、R<SP>2 </SP>がSi含有基の場合には2/3<m/n≦4、R<SP>3 </SP>がSi含有基の場合には2/3<n/m≦4であり、かつ重量平均分子量は1000〜100万である。〕

IPC (8件)：

G03F 7/075 511 , C08K 5/42 , C08L 25/18 LEK , C08L 35/02 LJW , C08L 43/04 LKF , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 , H01L 21/027

前のページに戻る