半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004197
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090225
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】ドライエッチングによる高精度の加工を可能とし、配線,キャパシタ等のデバイスの信頼性を向上させることを目的とする。【構成】 Si基板11の表面にAlSiCu薄膜を有する被処理基体表面上に炭素膜14を被着した後、この炭素膜14上に所定パターンのレジスト15を形成し、このレジスト15をマスクとして炭素膜14をパターニングし、次いでレジスト15を除去し、しかるのち炭素膜14をマスクとして薄膜13を選択的にドライエッチングすることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に炭素膜を被着する工程、該炭素膜上に有機膜パターンを形成する工程、該有機膜パターンをマスクとして用いて該炭素膜をエッチングして炭素膜パターンを形成する工程、該有機膜パターンを除去する工程、エッチングガスを該基板を収容する反応領域に導入し、基板の支持台に設けられた加熱手段で被処理基板を加熱しながら反応領域に電界を印加して放電を生ぜしめ、形成されたプラズマを用いて、該炭素膜パターンをマスクとして被処理基板を異方的に加工する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭62-230023
特開昭50-122878
特開平2-100318

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