特許

J-GLOBAL ID：200903088047682304

電力用半導体素子のゲート駆動回路

発明者： 滝沢 聡毅
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-119044
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 高温状態でも、ターンオフ損失を増加させないようにする。【解決手段】 電力用半導体素子としてのIGBTモジュールやIGBTチップの温度を温度検出器TSによって検出し、これをコンパレータCP1で比較して一定の温度以上であると判断されたときは、電流変化率di/dtも低くて良いので、アンドゲートAN1を介してスイッチS3をオンとし、IGBTのゲート抵抗値を抵抗R2とR3の並列抵抗値として抵抗値を下げることにより、ターンオフ損失の低減を図る。

請求項（抜粋）：

電力変換装置を構成する電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路において、前記電力用半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度値がある設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を低減することを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (5件)：

H02M 1/08 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/08 ,  H03K 17/56

FI (5件)：

H02M 1/08 A ,  H02M 1/00 R ,  H02M 7/5387 Z ,  H03K 17/08 Z ,  H03K 17/56 Z

Fターム (31件)：

5H007CA01 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007DB09 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H740BA11 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740HH05 ,  5H740JA01 ,  5H740KK01 ,  5H740LL01 ,  5H740MM01 ,  5H740MM08 ,  5J055AX15 ,  5J055AX56 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055EX06 ,  5J055EY01 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ25 ,  5J055EZ31 ,  5J055EZ61 ,  5J055FX06 ,  5J055FX12 ,  5J055FX18 ,  5J055GX01