半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125709
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】この発明は、特に薄型に構成できるようにした半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体ウエハには、ダイシングラインに沿って破線状の認識マーク23が形成される。ダイシングされた半導体チップ21には、この端縁に沿って電極パッド221 、222 、...が配置形成されると共に、このチップ21に形成される認識マーク23は、電極パッド221 、222 、...それぞれの位置に対応して破線状に形成され、電極パッド221 、222 、...それぞれの相互間に相当する部分には、電気的な切断部分が形成されている。したがって、認識マーク23部分での切断に伴ってめくれが生じて、電極パッド221 、222 、...それぞれに接続されるリードワイヤがこのめくれに接触しても、期待されない電極パッド相互間の電気的なパスの発生が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体チップの主面の外周縁に沿って形成された複数の電極パッドと、前記半導体チップの前記主面の少なくとも1つの外周縁に形成され、ダイシングに際してその切離し部位を認識する認識マークとを具備し、この認識マークは少なくとも前記電極パッドそれぞれに対応して分離されるようにした不連続な線によって構成され、前記電極パッドそれぞれに接続されるリードワイヤは前記認識マーク部の上部を通過して導出され、それぞれアウターリードに接続されるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 C , H01L 21/78 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭53-090863
特開平3-004544
特開昭53-090863

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