特許
J-GLOBAL ID：200903088061148906
気相再結晶による半導体デバイス用高品質薄膜Cu(In,Ga)Se▲下2▼
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾股 行雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-523309
公開番号（公開出願番号）：特表平8-510359
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：
【要約】Cu(In,Ga):CuxSeからなるCu含量の多い、相分離された化合物混合物を基材(12)上に先ず生成させて大結晶粒前駆物質(20)を生成させる工程と、次いでIn(22)及び/又はGaの活性にCuxSeを曝すことにより過剰CuxSe(18)をCu(In,Ga)Se2に転化する工程とによって、半導体デバイス用の高品質薄膜Cuw(In,Ga)ySezが製造される。前記In及び/又はGaの活性は、In及び/又はGaの蒸気、あるいは固体の(In,Ga)ySezのいずれでもよい。前記の転化工程は、相分離された前駆物質(20)の上にIn及び/又はGaとSeを順次析出させることによっても行なえる。転化工程は好ましくは約300〜600°Cでなされる。この温度では、Cu(In,Ga)Se2(16)は固体を維持し、過剰CuxSe(18)は液体フラックスとなる。得られるCuw(In,Ga)ySezの特性は温度により制御できる。500〜600°Cといった高温では、略化学量論的なCu(In,Ga)Se2を生成し、300〜400°Cといった低温ではCu2(In,Ga)4Se7相のようなCu含量の少ない化合物が生成する。
請求項（抜粋）：
Cu(In,Ga)Se2:CuxSeからなるCu含量の多い、相分離された化合物混合物を基材上に生成する工程と;この混合物中のCuxSeを(In,Ga)およびSeに曝すことによってCuxSeをCuw(In,Ga)ySezに転化する工程とからなる、薄膜半導体デバイスの製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/263
, C01B 19/00
, C01G 3/00
, C23C 14/34
, C23C 30/00
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 31/04
H01L 21/263
, C01B 19/00 Z
, C01G 3/00
, C23C 14/34 N
, C23C 30/00 A
, H01L 21/20
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
, H01L 31/04 E
