特許
J-GLOBAL ID：200903088065212218
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364197
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185556
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 横型バイポーラトランジスタに関して、その高周波特性の改善、向上を行うことを目的とする。【解決手段】 絶縁膜上に形成された半導体層に、エミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域が横方向に配置されたバイポーラトランジスタの製造方法において、従来困難であったベース領域へ電位を印加するための引出し電極を、自己整合的に形成し、寄生抵抗や寄生容量の増加無く、制御性の良いバイポーラトランジスタが形成できる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層に横方向に順に形成されたエミッタ領域,ベース領域及びコレクタ領域と、前記ベース領域と電気的に接続され、単結晶半導体からなるベース引出し電極を有し、前記ベース領域との接続面である前記ベース引き出し電極の下面の面積より前記ベース引き出し電極の上面の面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (16件)：
5F003AP05
, 5F003AZ03
, 5F003BA27
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BB90
, 5F003BC08
, 5F003BE08
, 5F003BH06
, 5F003BH07
, 5F003BH18
, 5F003BM01
, 5F003BN01
, 5F003BP22
, 5F003BP33
, 5F003BP94
