特許
J-GLOBAL ID：200903088065910853
シリコン薄膜太陽電池の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214277
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054775
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】溶液成長法を含む太陽電池の作製法において、溶液成長後の上部金属-シリコン合金層の除去と、それに続く活性層の作製の工程を省き、工程数削減による歩留まりおよびスループットの増加と、コストの削減を図る。【解決手段】ガラス基板1上にAlを供給してAl薄膜を形成し、加熱された該Al薄膜上にSiを供給してSi多結晶薄膜11を形成する工程とを有し、供給するAlの原子数の総量が、供給するSiの原子数の総量の1/2000以上1/100以下とする。
請求項（抜粋）：
基板上に金属を供給して金属薄膜を形成する工程と、加熱された前記金属薄膜上にシリコンを供給してシリコン多結晶薄膜を形成する工程とを有する、シリコン薄膜太陽電池の作製方法において、前記供給する金属の原子数の総量が、前記供給するシリコンの原子数の総量の1/2000以上1/100以下であることを特徴とするシリコン薄膜太陽電池の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 X
, H01L 21/20
