特許

J-GLOBAL ID：200903088067154584

高い接合強度を有するスパッタリングターゲット

発明者： 三島 昭史 ,  三木 修司
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-048667
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 高純度Siターゲット材のCuまたはCu合金製バッキングプレートに対する接合強度の高いスパッタリングターゲットを提供する。【構成】 高純度Siターゲット材をInまたはIn-Sn合金はんだを用いてCuまたはCu合金製バッキングプレートに接合してなるスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲット材の接合面の面粗さを1〜10μmRmax とすると共に、上記ターゲット材の接合面と上記はんだとの間に、イオンプレーティングまたはスパッタリングにより形成したCu,Ni、およびCu-Ni合金のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚:2〜8μmの薄層を介在させる。

請求項（抜粋）：

高純度Siターゲット材をInまたはIn-Sn合金はんだを用いてCuまたはCu合金製バッキングプレートに接合してなるスパッタリングターゲットにおいて、上記ターゲット材の接合面の面粗さを1〜10μmRmax とすると共に、上記ターゲット材の接合面と上記はんだとの間に、イオンプレーティングまたはスパッタリングにより形成したCu,Ni、およびCu-Ni合金のうちの少なくともいずれかからなる平均層厚:2〜8μmの薄層を介在させたことを特徴とする高い接合強度を有するスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  B23K 1/19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-317667
  
• 特開昭60-065529