特許
J-GLOBAL ID：200903088070791307
ダミーウェハー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣江 武典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171172
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022185
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】耐熱性、耐食性に優れていることは勿論、それ程硬度が高くなくて製造や加工、及び使用後の加工性にも優れていて、比較的安価なダミーウェハーを提供すること。【解決手段】半導体製造装置内に多数並べられる大規模集積回路等を形成するためのウェハー20に混ぜて配置されるダミーウェハー10であって、このダミーウェハー10を、熱分解炭素によって形成したこと。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置内に多数並べられる大規模集積回路等を形成するためのウェハーに混ぜて配置されるダミーウェハーであって、全体を熱分解炭素によって形成したことを特徴とするダミーウェハー。
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/02 D
