特許

J-GLOBAL ID：200903088089505216

サージ吸収素子

発明者： 府瀬川 和宏 ,  村上 義男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256572
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧及びサージ耐量がそれぞれ高く、かつ高温環境下で動作し、素子の直径を5mm未満にしても高いサージ耐量特性を有する。【解決手段】 pn接合の逆方向特性を利用したツェナーダイオード型の炭化珪素半導体からなるサージ吸収素子10であって、pn接合した炭化珪素半導体11と、この半導体のp型層11a及びn型層11bにそれぞれ設けられた電極12,13とを有する。p型層11aに設けられた電極12がショットキー特性を有する、Au、W、Mo、TiN、TaN又はその合金からなる。

請求項（抜粋）：

pn接合した炭化珪素半導体(11)と、前記半導体(11)のp型層(11a)及びn型層(11b)にそれぞれ設けられた電極(12,13)とを有するサージ吸収素子。

IPC (4件)：

H01L 29/866 ,  H01L 29/872 ,  H02H 9/04 ,  H01C 7/12

FI (4件)：

H01L 29/90 D ,  H02H 9/04 A ,  H01C 7/12 ,  H01L 29/48 D