特許
J-GLOBAL ID：200903088089818745
1,2-ビス(メチル(1,1,3,3-テトラメチルブチル)ホスフィノ)エタンおよびその製造方法、それを配位子とする遷移金属錯体並びにその用途
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999007156
公開番号（公開出願番号）：WO2001-046098
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月28日
要約：
【要約】本発明は、次式(1)で示される不斉水素化反応の不斉触媒の配位子として有用なリン原子上に不斉中心を有する新規なビスホスフィン化合物及びその製造方法を提供する:(式中、t-C8H17は1,1,3,3-テトラメチルブチルを表す)。また、それを配位子とする遷移金属錯体、並びに該遷移金属錯体を不斉水素化反応の不斉触媒として使用する不飽和カルボン酸およびそのエステル類の不斉水素化方法も開示する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1):(式中、t-C8H17は1,1,3,3-テトラメチルブチルを表す)で表されることを特徴とする1,2-ビス(メチル(1,1,3,3-テトラメチルブチル)ホスフィノ)エタン。
IPC (11件)：
C07F 9/50
, B01J 31/24
, C07C 51/36
, C07C 53/00
, C07C 67/303
, C07C 69/02
, C07C231/18
, C07C233/47
, C07B 53/00
, C07B 61/00 300
, C07M 7:00
C07F 9/50
, B01J 31/24 Z
, C07C 51/36
, C07C 53/00
, C07C 67/303
, C07C 69/02
, C07C231/18
, C07C233/47
, C07B 53/00 B
, C07B 53/00 E
, C07B 61/00 300
