特許
J-GLOBAL ID：200903088091711745
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-054414
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 高感度の片持ち梁構造または両持ち梁構造の半導体加速度センサを低製造コストで、大量生産する。【構成】 シリコン基板10の裏面側に、端から端まで横切るようなチャンネル状凹部17が設けられることによりシリコン基板10の端から端まで達するような薄肉部21が形成されており、その薄肉部21の上面付近に拡散抵抗層13が形成されている。シリコン基板10の裏面にはガラス板30が陽極接合により接合されており、薄肉部21に対応してスリット部31が設けられてガラス板30が2つの独立した部分に分割されている。薄肉部21を挟んだ一方の側は台座部51とされて固定され、他方の側は自由端とされ、これにより片持ち梁構造が形成される。自由端側は重錘部61とされ、この部分に加わる加速度が、シリコン基板10の端から端まで達する薄肉部21に曲げ応力を与え、拡散抵抗層13における抵抗を大きく変化させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板を横切る方向に端から端まで形成されたチャンネル状凹部による薄肉部と、該薄肉部に設けられた歪ゲージとなる拡散抵抗層と、該薄肉部に対応した位置で分離され、上記シリコン基板に陽極接合された熱膨張係数がシリコン基板に近い硼珪酸ガラスのガラス板とを備え、上記薄肉部を挟んだ一方の側が台座部、他方の側が自由端部となる片持ち梁構造とされていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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