特許
J-GLOBAL ID：200903088091824434
酸化物薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330487
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 単結晶半導体基板にエピタキシャルまたは配向性の酸化物バッファー層を容易に形成することができる酸化物薄膜の作製方法を提供する。【構成】 単結晶半導体基板表面を不動態化処理して、該半導体を構成する元素と異なる元素を含む超薄膜よりなる不動態化層を形成した後、或いは、さらに不動態化層を部分的に昇華した後、該単結晶半導体基板表面にエピタキシャルまたは配向性の酸化物バッファ層を気相成長させる。次いで、形成された酸化物バッファ層の上にエピタキシャルまたは配向性の酸化物強誘電体薄膜を気相成長または固相成長させる。本発明によれば、高性能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子等の素子を半導体基板上に作製することが可能になる。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板表面を不動態化処理して、該半導体を構成する元素と異なる元素を含む超薄膜よりなる不動態化層を形成した後、該単結晶半導体基板表面にエピタキシャルまたは配向性の酸化物バッファ層を気相成長させることを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。
IPC (7件)：
C30B 23/08
, C30B 25/18
, C30B 29/30
, C30B 29/32
, C30B 33/08
, H01L 21/314
, H01L 21/316
