特許

J-GLOBAL ID：200903088098135030

アルケニルホスフィンオキシド化合物の製造方法

発明者： 田中 正人 ,  韓 立彪
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-295993
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 第2級ホスフィンオキシドを出発原料に用いる、アルケニルホスフィンオキシドの新規な製造方法を提供する。【解決手段】 パラジウム錯体触媒の存在下、アセチレン化合物に第2級ホスフィンオキシドを反応させることを特徴とするアルケニルホスフィンオキシド化合物の製造方法。

請求項（抜粋）：

パラジウム錯体触媒の存在下に、一般式【化1】(式中、R1およびR2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基の中から選ばれる1価の基を示す)で表されるアセチレン化合物に、一般式【化2】(式中、R3はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示す)で表される第2級ホスフィンオキシドを反応させることを特徴とする一般式【化3】および/または一般式【化4】(前記一般式(3)及び(4)において、R1、R2およびR3は、前記と同じ意味を有する)で表されるアルゲニルホスフィンオキシド化合物の製造方法。

IPC (3件)：

C07F 9/53 ,  B01J 31/24 ,  C07B 61/00 300

FI (3件)：

C07F 9/53 ,  B01J 31/24 X ,  C07B 61/00 300