特許
J-GLOBAL ID：200903088105285817
アルミニウム基体表面にセラミックス皮膜を形成させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171794
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 ナトリウムやカリウム等のアルカリ金属を実質的に含有せずに、陽極火花放電により表面粗さの小さいセラミックス皮膜を形成できる方法を提供すること。【解決手段】 (a)窒素原子含有カチオン及び(b)アルミニウムに対する安定度定数が9以上のアミノカルボン酸アニオンを含有する水性電解浴中で、陽極火花放電によりアルミニウム又はアルミニウム合金基体表面に、酸化アルミニウムを含有するセラミックス皮膜を形成させることを含むセラミックス皮膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
(a)窒素原子含有カチオン及び(b)アルミニウムに対する安定度定数が9以上のアミノカルボン酸アニオンを含有する水性電解浴中で、陽極火花放電によりアルミニウム又はアルミニウム合金基体表面に、酸化アルミニウムを含有するセラミックス皮膜を形成させることを特徴とするセラミックス皮膜の形成方法。
IPC (2件)：
C25D 11/04 101
, C25D 11/06
C25D 11/04 101 E
, C25D 11/06 C
