特許

J-GLOBAL ID：200903088105846428

温度補償型基準電圧発生回路

発明者： 桜井 保宏
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325826
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 ディプレション型MOSトランジスタを用いた温度補償型基準電圧発生回路は、基準電圧の製造ばらつきが大きく、低電圧仕様の電子機器の高精度化要求に応えられない。【解決手段】 電気特性の製造ばらつきが小さいエンハンスメント型MOSトランジスタと抵抗11のみを用い、基準電圧出力が第2のpチャネルMOSトランジスタ19のスレショールド電圧の約1.5倍になるよう抵抗11の値を調整することで温度補償型基準電圧発生回路を構成する。

請求項（抜粋）：

高電位側の電源に一端を接続する抵抗と、該抵抗の他端にソースを接続する第1のpチャネルMOSトランジスタと、該第1のpチャネルMOSトランジスタのドレインにゲートおよびドレインを接続し低電位側の電源にソースおよびバルクを接続する第1のnチャネルMOSトランジスタと、該第1のnチャネルMOSトランジスタのゲートにゲートを接続し低電位側の電源にソースおよびバルクを接続する第2のnチャネルMOSトランジスタと、高電位側の電源にソースおよびバルクを接続しドレインおよびゲートを前記第1のpチャネルMOSトランジスタのゲートおよび前記第2のnチャネルMOSトランジスタのドレインに接続する第2のpチャネルMOSトランジスタとを備え、前記第1のpチャネルMOSトランジスタおよび第2のpチャネルMOSトランジスタはp形多結晶シリコン膜をゲート電極とするスレショールド電圧が等しいエンハンスメント型MOSトランジスタとし、前記第1のnチャネルMOSトランジスタおよび第2のnチャネルMOSトランジスタはn形多結晶シリコン膜をゲート電極とするスレショールド電圧が等しいエンハンスメント型MOSトランジスタとし、前記第1のnチャネルMOSトランジスタのチャネル幅およびチャネル長を第2のnチャネルMOSトランジスタのチャネル幅およびチャネル長に等しくし、前記第1のpチャネルMOSトランジスタのチャネル幅とチャネル長との比を前記第2のpチャネルMOSトランジスタのチャネル幅とチャネル長との比よりも大きくし、高電位側の電源を基準電位とし、前記第2のpチャネルMOSトランジスタのドレインを基準電圧出力とし、前記抵抗値の調整により前記基準電圧出力の大きさが前記第2のpチャネルMOSトランジスタのスレショールド電圧の約1.5倍になっていることを特徴とする温度補償型基準電圧発生回路。

IPC (3件)：

G05F 3/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

G05F 3/24 Z ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 F