特許

J-GLOBAL ID：200903088107673458

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： クリスチャン・デュサラ ,  ジュリエン・ガティノウ ,  柳田 和孝 ,  塚田 恵理
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077608
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261434
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】400°C以下の低温での成膜において、OH結合の導入を抑制または防止したシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】a)反応チャンバ内に被処理基板を収納する工程;(b)前記反応チャンバ内で次の工程を行う工程;1)減圧下、50〜400°Cの基板温度にて反応チャンバに不活性ガスを供給してチャンバ内のガスをパージする、2)減圧および同温度の下で反応チャンバ内に気相状態のシリコン系化合物をパルスし、前記被処理基板上にシリコン系化合物を吸着させる、3)減圧および同温度の下で反応チャンバ内の未吸着のシリコン系化合物を不活性ガスによりパージする、4)減圧および同温度の下で反応チャンバ内にオゾンを含む混合ガスをパルスし、前記被処理基板上に吸着されたシリコン系化合物と酸化反応させてシリコン酸化物を生成する、(c)前記1)〜4)の工程を繰り返して前記被処理基板上に所望厚さのシリコン酸化膜を成膜する工程;を含むことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(a)反応チャンバ内に被処理基板を収納する工程; (b)前記反応チャンバ内で次の工程を行う工程; 1)減圧下、50〜400°Cの基板温度にて反応チャンバ内に不活性ガスを供給してチャンバ内のガスをパージする、 2)減圧および同温度の下で反応チャンバ内に気相状態のシリコン系化合物をパルスし、前記被処理基板上にシリコン系化合物を吸着させる、 3)減圧および同温度の下で反応チャンバ内の未吸着のシリコン系化合物を不活性ガスによりパージする、 4)減圧および同温度の下で反応チャンバ内にオゾンを含む混合ガスをパルスし、前記被処理基板上に吸着されたシリコン系化合物と酸化反応させてシリコン酸化物を生成する、 (c)前記1)〜4)の工程を繰り返して前記被処理基板上に所望厚さのシリコン酸化膜を成膜する工程; を含むことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/316 C ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Fターム (18件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030JA10 ,  5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF62 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02