特許
J-GLOBAL ID：200903088109300098
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244320
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】構造が簡単で、製造コストが安く、しかも、誘電体損失の小さい高周波帯域用の樹脂封止型半導体装置を提供することにある。【構成】GaAs系素子の電極とリードフレムが電気的に接続され、少なくとも素子表面および電極とリードとの接合部が樹脂で一体に封止され、前記封止樹脂の比誘電率が1.3〜3未満、TgもしくはHDTが130°C以上の三次元橋かけ樹脂で構成された高周波帯域用の樹脂封止型半導体装置。
請求項（抜粋）：
GaAs系素子の電極とリードフレムが電気的に接続され、少なくとも素子表面および電極とリードとの接合部が樹脂で一体に封止された高周波帯域用の樹脂封止型半導体装置であって、前記封止樹脂の比誘電率が1.3〜3未満、ガラス転移温度(Tg)もしくは熱変形温度(HDT)が130°C以上の三次元橋かけ樹脂で構成されていることを特徴とする高周波帯域用の樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L101/00 LTB
